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2006年4月22日 (土)

エプソンが折り曲げ可能なメモリー開発に成功

エプソンは、応用物理学会の講演会で、折り曲げ可能なプラスチック基板上での強誘電体メモリー(FeRAM=電源を切っても情報が消えない不揮発メモリー)の作成に成功し、実用化を目指していることを発表した。

FeRAMは、現在のフラッシュメモリーより高速な読み書きが可能であるため、次世代メモリーとして期待されている。

同社は、現在開発をすすめているFeRAMは、データ保持時間が1ヶ月以上ではあるものの、まだまだ実用化には時間がかかると説明している。

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